کتاب مبانی ترانزیستورهای اثر میدان و فناوری‌های نوین در مقیاس‌بندی نانو (Technology Scaling) با فرمت AZW3 برای کتابخوان کیندل و فرمت EPUB

249,950 تومان
پرداخت اقساطی
در صورت خرید اقساطی هر قسط: 62,488 تومان
۴ قسط ماهانه. بدون سود، چک و ضامن.
پرداخت اقساطی با دیجی‌پی پرداخت اقساطی با ترب‌پی

🎓 دوره آموزشی جامع

📚 اطلاعات دوره

عنوان دوره: دوره مبانی ترانزیستورهای اثر میدان و فناوری‌های نوین در مقیاس‌بندی نانو (Technology Scaling)

موضوع کلی: مهندسی برق و الکترونیک

موضوع میانی: طراحی و ساخت نیمه‌هادی‌ها (Semiconductors)

📋 سرفصل‌های دوره (100 موضوع)

  • 1. مبانی فیزیک نیمه‌هادی‌ها و ساختار اتمی مواد
  • 2. رفتار حامل‌های بار و فرآیندهای نفوذ و رانش
  • 3. معادلات حاکم بر پیوندگاه پی-ان در حالت تعادل
  • 4. مبانی عملکرد ترانزیستور اثر میدان با گیت فلزی و اکسید نیمه‌هادی
  • 5. ساختار فیزیکی و هندسه ترانزیستور ماسفت
  • 6. تحلیل ظرفیت‌های خازنی در ساختار اکسید-نیمه‌هادی
  • 7. معادلات جریان تخلیه در ناحیه خطی و اشباع
  • 8. اثرات مدولاسیون طول کانال در ماسفت‌های طول کوتاه
  • 9. مدل‌سازی پارامترهای آستانه ولتاژ
  • 10. تکنولوژی‌های رشد لایه نشانی لایه نازک
  • 11. فرآیندهای لیتوگرافی نوری در ابعاد نانو
  • 12. فرآیندهای کاشت یون و آنیل حرارتی
  • 13. روش‌های اکسیداسیون حرارتی و رشد دی‌الکتریک‌های گیت
  • 14. مبانی طراحی ماسفت‌های کانال کوتاه
  • 15. اثرات کانال کوتاه و تغییرات پارامتریک
  • 16. تکنولوژی‌های ایزولاسیون ترانزیستورها در مدارات مجتمع
  • 17. ساختار ترانزیستورهای فین‌فت و مزایای آن
  • 18. فناوری‌های نوین در طراحی گیت‌های فلزی
  • 19. بهینه‌سازی تحرک‌پذیری حامل‌ها در کانال‌های کشیده شده
  • 20. چالش‌های مقیاس‌بندی در ابعاد زیر ده نانومتر
  • 21. اثرات کانال کوتاه و مدیریت میدان الکتریکی
  • 22. مدل‌سازی پارامترهای نویز در ترانزیستورهای اثر میدان
  • 23. مبانی طراحی مدارات دیجیتال مبتنی بر ماسفت
  • 24. تحلیل تأخیر و توان مصرفی در گیت‌های منطقی
  • 25. اصول طراحی حافظه‌های نیمه‌هادی و سلول‌های اس‌رم
  • 26. فناوری‌های نوین در اتصال‌دهنده‌های فلزی و اینترکانکت‌ها
  • 27. روش‌های مشخصه‌یابی الکتریکی ترانزیستورها
  • 28. تکنیک‌های اندازه‌گیری پارامترهای سیگنال کوچک
  • 29. مبانی شبیه‌سازی عددی در طراحی قطعات نیمه‌هادی
  • 30. اصول پایداری حرارتی در تراشه‌های نانو
  • 31. چالش‌های قابلیت اطمینان و پدیده پیری در ترانزیستورها
  • 32. تکنولوژی‌های نوین در ساخت نیمه‌هادی‌های مرکب
  • 33. بررسی اثرات کوانتومی در مقیاس‌بندی نانو
  • 34. ساختارهای ترانزیستوری مبتنی بر نانوسیم‌ها
  • 35. اصول طراحی ماسفت‌های توان بالا
  • 36. مدیریت توان در مدارات مجتمع با چگالی بالا
  • 37. فناوری‌های نوین در بسته‌بندی تراشه‌های پیشرفته
  • 38. چشم‌انداز فناوری‌های نوظهور در صنعت میکروالکترونیک ایران
تگ‌ها: الکترونیک پیشرفته ترانزیستور اثر میدان تکنولوژی CMOS طراحی مدارات مجتمع فناوری نانو فیزیک قطعات نیمه‌هادی مقیاس‌پذیری ترانزیستور مهندسی برق و الکترونیک نیمه‌هادی‌ها

نظرات

هنوز نظری ثبت نشده است.

وارد شوید تا نظر ثبت کنید.